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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM2303CX RFG
TSM2303CX RFG Image
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TSM2303CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM2303CX RFG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM2303CX RFG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
TSM2303.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4070

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Anzahl

Spezifikation

TSM2303CX RFG Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2303CX RFG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2303CX RFG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 700mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 565 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.2 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.3A (Ta)  
Grundproduktnummer TSM2303  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM2303CX RFG.

Produkteigenschaften TSM2303CX RFG TSM2307CX RFG TSM2305CX RFG TSM2302CX RFG
Artikelnummer TSM2303CX RFG TSM2307CX RFG TSM2305CX RFG TSM2302CX RFG
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.2 nC @ 4.5 V 10 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 7.8 nC @ 4.5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 700mW (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.5W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.3A, 10V 95mOhm @ 3A, 10V 55mOhm @ 3.2A, 4.5V 65mOhm @ 3.2A, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.3A (Ta) 3A (Tc) 3.2A (Ta) 3.9A (Tc)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 565 pF @ 10 V 565 pF @ 30 V 990 pF @ 10 V 587 pF @ 10 V
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 20 V 20 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Grundproduktnummer TSM2303 TSM2307 TSM2305 TSM2302
Vgs (Max) ±20V ±20V ±8V ±8V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

TSM2303CX RFG Datenblatt PDF

Laden Sie TSM2303CX RFG PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für TSM2303CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev 17/Sep/2021.pdf
Datenblätter
TSM2303.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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